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APTGT35A120T1G

Name: Microchip APTGT35A120T1G
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-APTGT35A120T1G
Price: 42.37 CHF
Availability: OutOfStock

Mouser-Nr.:

494-APTGT35A120T1G

Herst.- Nr.:

APTGT35A120T1G

Herst.:

Microchip Technology

Beschreibung:

IGBT-Module Trench Field Stop 1200V 55A 208W

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Datenblatt:

APTGT35A120T1G Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	Microchip
Produktkategorie:	IGBT-Module
RoHS:
Produkt:	IGBT Modules
Konfiguration:	Half Bridge
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	1.2 kV
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.7 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	55 A
Kriechstrom Gate-Emitter:	400 nA
Pd - Verlustleistung:	208 W
Verpackung/Gehäuse:	SP1-12
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 100 C
Verpackung:	Tube
Marke:	Microchip Technology
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	20 V
Montageart:	Screw Mount
Produkt-Typ:	IGBT Modules
Verpackung ab Werk:	1
Unterkategorie:	IGBTs
Technologie:	Si
Gewicht pro Stück:	80 g

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IGBT-Leistungsmodule

Die IGBT-Leistungsmodule von Microchip bieten eine umfassende Palette von IGBT-Leistungsmodulen mit verschiedenen Trench- und Field-Stop-Generationen, die eine optimierte Schalt- und Leitungsverlustleistung bieten. Die Teilenummern der Leistungsmodule geben den Typ des verwendeten IGBT an. Die Trench5 IGBT-Familie ergänzt das Micochip-Angebot an IGBT-Leistungsmodulen und ist das perfekte Ersatzteil für NPT IGBTs. Die diskreten und modularen SiC-Produkte von Microchip können als alternative Lösungen für Anwendungen betrachtet werden, die Schaltfrequenzen über 20 kHz erfordern.