MSCSM120VR1M062CT6AG

Microchip Technology
494-120VR1M062CT6AG
MSCSM120VR1M062CT6AG

Herst.:

Beschreibung:
Diskrete Halbleitermodule PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C

Datenblatt:
ECAD Model:
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Microchip
Produktkategorie: Diskrete Halbleitermodule
RoHS:  
MOSFET-SiC SBD Modules
MOSFET / SiC SBD
SiC
1.8 V
1.7 kV
- 10 V, + 23 V
Screw Mount
- 40 C
+ 125 C
Marke: Microchip Technology
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: Not Available
Id - Drain-Gleichstrom: 420 A
Pd - Verlustleistung: 1.753 kW
Produkt-Typ: Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source-Widerstand: 6.2 mOhms
Verpackung ab Werk: 1
Unterkategorie: Discrete Semiconductor Modules
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung: 1.2 kV
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung: 2.8 V
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

PCN

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ECCN:
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