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MSCSM120XM50CTYZBNMG

Name: Microchip MSCSM120XM50CTYZBNMG
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-M120XM50CTYZBNMG
Price: 602.13 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

579-M120XM50CTYZBNMG

Herst.- Nr.:

MSCSM120XM50CTYZBNMG

Herst.:

Microchip Technology

Beschreibung:

Diskrete Halbleitermodule PM-MOSFET-SIC-SBD-6HPD

Datenblatt:

MSCSM120XM50CTYZBNMG Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	Microchip
Produktkategorie:	Diskrete Halbleitermodule
RoHS:
Produkt:	MOSFET-SiC SBD Modules
Typ:	3-Phase Bridge
Technologie:	SiC
Vf - Durchlassspannung:	1.5 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, + 23 V
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	108 mm x 67.3 mm x 17.2 mm
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Marke:	Microchip Technology
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	25 ns
Id - Drain-Gleichstrom:	80 A
Pd - Verlustleistung:	315 W
Produkt-Typ:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	50 mOhms
Anstiegszeit:	30 ns
Verpackung ab Werk:	1
Unterkategorie:	Discrete Semiconductor Modules
Transistorpolung:	N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	50 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	30 ns
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.7 V