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MC33GD3100B3EK

Name: NXP MC33GD3100B3EK
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 771-MC33GD3100B3EK
Price: 8.16 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-MC33GD3100B3EK

Herst.- Nr.:

MC33GD3100B3EK

Herst.:

NXP Semiconductors

Beschreibung:

Galvanisch isolierte Gate-Treiber IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters

Datenblatt:

MC33GD3100B3EK Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	CHF 6.36	CHF 63.60
	CHF 5.70	CHF 142.50
	CHF 5.31	CHF 446.04
	CHF 5.11	CHF 1 287.72
	CHF 4.72	CHF 2 378.88
	CHF 4.62	CHF 4 656.96
2 520	Kostenvoranschlag

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	NXP
Produktkategorie:	Galvanisch isolierte Gate-Treiber
RoHS:
Serie:	GD3100
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	WSOIC-32
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Verpackung:	Tube
Marke:	NXP Semiconductors
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Entwicklungs-Kit:	FRDMGD3100HB8EVM
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt:	IGBT, SiC Gate Driver
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	500 mohms
Verpackung ab Werk:	42
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Versorgungsspannung - Max.:	40 V
Versorgungsspannung - Min.:	5 V
Technologie:	SiC
Typ:	Single Channel Gate Driver
Artikel # Aliases:	935444484574

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Datenblatt

MC33GD3100B3EK Datenblatt (PDF)

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CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

MC33GD3100 Erweiterte IGBT/SiC Gate-Treiber

Die fortschrittlichen IGBT-/SiC-Gate-Treiber MC33GD3100 von NXP Semiconductors sind Einkanal-Gate-Treiber für isolierte Gate-Bipolartransistoren (IGBT) und Siliziumkarbid (SiC) Power -Bauteile. Die MC33GD3100 Gate-Treiber von NXP verfügen über erweiterte Funktionssicherheits-, Steuerungs- und Schutzfunktionen, wodurch sie sich hervorragend für Fahrzeuganwendungen und EV-Antriebsstrang-Applikationen eignen (vollständig AEC-Q100 Klasse 1 qualifiziert). Integrierte galvanische Trennung und Antriebstransistoren mit niedrigem Einschaltwiderstand sorgen für einen hohen Lade- und Entladestrom, niedrige dynamische Sättigungsspannung und Rail-to-Rail -Gate-Spannungssteuerung. Die Strom- und Temperaturmessung minimiert die IGBT-Belastung bei Fehlern. Eine präzise und konfigurierbare Unterspannungsabschaltung (UVLO) schützt und gewährleistet gleichzeitig einen ausreichenden Spielraum für die Gate-Treiberspannung.