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QPD1008L

Name: Qorvo QPD1008L
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1008L
Price: 379.49 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

772-QPD1008L

Herst.- Nr.:

QPD1008L

Herst.:

Qorvo

Beschreibung:

GaN FETs DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN

Datenblatt:

QPD1008L Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Qorvo
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	NI-360
Transistorpolung:	N-Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	50 V
Id - Drain-Gleichstrom:	4 A
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	- 2.8 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Pd - Verlustleistung:	127 W
Marke:	Qorvo
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	US
Entwicklungs-Kit:	QPD1008LPCB401
Verstärkung:	17.5 dB
Maximale Betriebsfrequenz:	3.2 GHz
Mindestbetriebsfrequenz:	0 Hz
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Ausgangsleistung:	162 W
Verpackung:	Tray
Produkt-Typ:	GaN FETs
Serie:	QPD1008L
Verpackung ab Werk:	25
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Transistorart:	HEMT
Vgs - Gate-Source-Durchschlagspannung:	145 V

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CAHTS:: 8541290000
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MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

QPD GaN-HF-Transistoren

Die QPD GaN-HF-Transistoren von Qorvo können in der Doherty-Architektur für die Endstufe eines Basisstation-Leistungsverstärkers für Makrozellensysteme mit hohem Wirkungsgrad verwendet werden. Diese GaN-Transistoren sind diskrete GaN-auf-SiC-HEMTs, die mit einem einstufigen Leistungsverstärker-Transistor abgestimmt sind. Zu den typischen Applikationen gehören W-CDMA/LTE, Makrozellen-Basisstationen, aktive Antennen und Universal-Applikationen.