MB85RS4MLYPN-G-AWEWE1

RAMXEED
249-85S4MLYPNGAWERE1
MB85RS4MLYPN-G-AWEWE1

Herst.:

Beschreibung:
F-RAM 4Mbit FeRAM, SPI, 1.7 1.95V - DFN8 T&R (125?)

Datenblatt:
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RAMXEED
Produktkategorie: F-RAM
RoHS:  
4 Mbit
SPI
50 MHz
512 k x 8
DFN-8
1.7 V
1.95 V
- 40 C
+ 125 C
Reel
Marke: RAMXEED
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: JP
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Montageart: SMD/SMT
Betriebsversorgungsspannung: 1.8 V
Produkt-Typ: FRAM
Verpackung ab Werk: 1500
Unterkategorie: Memory & Data Storage
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

USHTS:
8542320071
ECCN:
3A991.b.1.b.1

FRAM (Ferroelectric Random Access Memory)

RAMXEED FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory featuring fast writing speed operation, high read/write endurance, and low power consumption. These features make FRAM ideal for applications requiring continuous data logging, real-time recording of three-dimensional position information, and data protection from sudden power outages.

MB85RS4MLY 4M (512K x 8) Bit SPI FRAM

RAMXEED MB85RS4MLY 4M (512K x 8) Bit SPI FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip features a configuration of 524,288 words x 8-bits. The devices utilize the ferroelectric and silicon gate CMOS process technologies to form nonvolatile memory cells. The MB85RS4MLY employs a Serial Peripheral Interface (SPI) and is ideal for high-temperature environment applications.

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