RGT30TM65DGC9

ROHM Semiconductor
755-RGT30TM65DGC9
RGT30TM65DGC9

Herst.:

Beschreibung:
IGBTs 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 15A, FRD Built-in, TO-220NFM, Field Stop Trench IGBT

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ROHM Semiconductor
Produktkategorie: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-220NFM-3
Through Hole
Single
650 V
2.1 V
30 V
14 A
32 W
- 40 C
+ 175 C
Tube
Marke: ROHM Semiconductor
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: KR
Kriechstrom Gate-Emitter: 200 nA
Produkt-Typ: IGBT Transistors
Verpackung ab Werk: 1000
Unterkategorie: IGBTs
Artikel # Aliases: RGT30TM65D
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

Field Stop Trench IGBTs

ROHM Field Stop Trench IGBTs are energy-saving, high-efficiency IGBTs used in a wide range of high-voltage and high-current applications. These IGBTs feature a low collector and emitter saturation voltage, short-circuit that withstands time, and built-in very fast and soft recovery FRD. The field stop trench IGBTs are ideal for UPS, power conditioners, welder, and general inverters for industrial use.