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RM21N650T2

Name: Rectron RM21N650T2
Brand: Rectron
SKU: 583-RM21N650T2
Price: 1.35 CHF
Availability: OutOfStock

Mouser-Nr.:

583-RM21N650T2

Herst.- Nr.:

RM21N650T2

Herst.:

Rectron

Datenblatt:

ECAD Model:

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Hersteller:	Rectron
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	21 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	180 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	48 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	188 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	Rectron
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	Not Available
Abfallzeit:	4.5 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	16 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	6 ns
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	61 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	11 ns
Gewicht pro Stück:	2 g