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RM8N650IP

Name: Rectron RM8N650IP
Brand: Rectron
SKU: 583-RM8N650IP
Price: 0.63 CHF
Availability: OutOfStock

Mouser-Nr.:

583-RM8N650IP

Herst.- Nr.:

RM8N650IP

Herst.:

Rectron

Datenblatt:

ECAD Model:

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Hersteller:	Rectron
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-251-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	8 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	540 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	22 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	80 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	Rectron
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	Not Available
Abfallzeit:	6.5 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	5.5 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	3.5 ns
Verpackung ab Werk:	800
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	55 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	5.5 ns
Gewicht pro Stück:	340 mg