71V416S12BEG

Renesas Electronics
972-71V416S12BEG
71V416S12BEG

Herst.:

Beschreibung:
SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM

ECAD Model:
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Renesas Electronics
Produktkategorie: SRAM
RoHS:  
4 Mbit
256 k x 16
12 ns
Parallel
3.6 V
3 V
180 mA
0 C
+ 70 C
SMD/SMT
CABGA-48
Tray
Marke: Renesas Electronics
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: TW
Speichertyp: SDR
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Produkt-Typ: SRAM
Serie: 71V416S12
Verpackung ab Werk: 250
Unterkategorie: Memory & Data Storage
Typ: Asynchronous
Artikel # Aliases: IDT71V416S12BEG 71V416
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CNHTS:
8542319090
CAHTS:
8542320041
USHTS:
8542320041
JPHTS:
854232019
KRHTS:
8542321020
TARIC:
8542324500
MXHTS:
8542320201
ECCN:
3A991.b.2.a

Asynchronous SRAMs

Renesas Electronics asynchrone SRAMs basieren auf der leistungsstarken CMOS-Technologie mit hoher Zuverlässigkeit. Die Technologie und innovative Schaltungsdesign-Techniken bieten eine kostengünstige LÖSUNG für asynchrone Hochgeschwindigkeits-SRAM-Speicheranforderungen. Vollständig statische asynchrone Schaltungen erfordern keine Takte oder Aktualisieren für den Betrieb. Der Renesas liefert einen asynchronen SRAM in einem RoHS-6/6-compliant-Gehäuse (umweltfreundlich) mit Industriestandard-Gehäuseoptionen.