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RTDTTP4200W066A

Name: Renesas Electronics RTDTTP4200W066A
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-RTDTTP4200W066A
Price: 1054.63 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

227-RTDTTP4200W066A

Herst.- Nr.:

RTDTTP4200W066A

Herst.:

Renesas Electronics

Beschreibung:

IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung 4.2kW Totem Pole PFC Evaluation Kit

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

RTDTTP4200W066A Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	Renesas Electronics
Produktkategorie:	IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung
RoHS:
Produkt:	Evaluation Kits
Typ:	Power Factor Correction
Eingangsspannung:	85 VAC to 270 VAC
Tool für die Evaluierung von:	TP65H030G4PWS
Serie:	Gen IV SuperGaN
Marke:	Renesas Electronics
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	TW
Zum Gebrauch mit:	GaN FET
Verpackung:	Bulk
Produkt-Typ:	Power Management IC Development Tools
Verpackung ab Werk:	1
Unterkategorie:	Development Tools
Handelsname:	SuperGaN

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Datenblatt

RTDTTP4200W066A Datenblatt (PDF)

CAHTS:: 8543700000
USHTS:: 8543709860
JPHTS:: 854370000
TARIC:: 8473302000
ECCN:: EAR99

RTDTTP4200W066A GaN-Evaluierungsboard

Renesas Electronics RTDTTP4200W066A GaN Evaluierungsboard ist ein 4,2 kW brückenloses Totem-Pole Blindleistungskompensation (PFC) Evaluierungsboard, das eine hocheffiziente einphasige AC/DC Konvertierung mit dem aktuellen Renesas Gen IV Plus SuperGaN^®FET ermöglicht. Der Renesas Electronics TP65H030G4PWS ist eine diodenfreie Galliumnitrid (GaN)-FET-Brücke mit niedriger Sperrverzögerungsladung.