TP65B110HRU-TR

Renesas Electronics
227-TP65B110HRU-TR
TP65B110HRU-TR

Herst.:

Beschreibung:
GaN FETs 650V, 110mohm GaN BDS in TOLT

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Preis (CHF)

Menge Stückpreis
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Gurtabschnitt / MouseReel™
CHF 5.92 CHF 5.92
CHF 4.18 CHF 41.80
CHF 3.48 CHF 348.00
CHF 3.10 CHF 1 550.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1300)
CHF 2.75 CHF 3 575.00
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Renesas Electronics
Produktkategorie: GaN FETs
RoHS:  
SuperGaN
Marke: Renesas Electronics
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: JP
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Verpackung: Reel
Verpackung: Cut Tape
Verpackung: MouseReel
Produkt-Typ: GaN FETs
Serie: TP65B110HRU
Verpackung ab Werk: 100
Unterkategorie: Transistors
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Ausgewählte Attribute: 0

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

SuperGaN™ FETs Gen IV

Die SuperGaN-FETs Gen IV von Transphorm sind normalerweise ausgeschaltete Bauteile, die brückenlose AC/DC-Totem-Pole-PFC-Designs ermöglichen. Diese FETs verfügen über einen Hochspannungs-GaN-High-Electron-Mobility-Transistor (HEMT) mit einem Niederspannungs-Silizium-MOSFET und bieten eine hervorragende Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit. Die SuperGaN™ Gen IV-Plattform wird mit fortschrittlicher Epi und patentierten Design-Technologien geliefert, die die Fertigung vereinfachen. Diese Designtechnologie verbessert den Wirkungsgrad über Silizium mit einer niedrigen Gate-Ladung, Ausgangskapazität, Crossover-Verlust und Sperrverzögerungsladung. Diese FETs Gen IV sind in zwei Ausführungen verfügbar, wie z. B. TP65H035G4WS mit einem 3-Pin-TO-247-Gehäuse und TP65H300G4LSG mit einem 8x8 PQFN-Gehäuse.