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GANSPIN611TR

Name: STMicroelectronics GANSPIN611TR
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-GANSPIN611TR
Price: 8.42 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-GANSPIN611TR

Herst.- Nr.:

GANSPIN611TR

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

Motor / Bewegung / Zündungscontroller und Treiber 650 V enhancement mode GaN high-power density half-bridge with high-voltage driver

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Datenblatt:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 8.42	CHF 8.42
	CHF 6.51	CHF 65.10
	CHF 6.21	CHF 155.25
	CHF 5.39	CHF 539.00
	CHF 5.14	CHF 1 285.00
	CHF 4.69	CHF 2 345.00
	CHF 4.13	CHF 4 130.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 4.02	CHF 12 060.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	Motor / Bewegung / Zündungscontroller und Treiber
RoHS:
Produkt:	Half-bridge Driver
Typ:	Half-bridge with High-voltage Driver
Ausgangsstrom:	10 A
Betriebsversorgungsstrom:	900 uA
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	QFN-35
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	STMicroelectronics
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	SG
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
Betriebsfrequenz:	200 kHz
Produkt-Typ:	Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers
Serie:	GANSPIN
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Versorgungsspannung - Max.:	18 V
Versorgungsspannung - Min.:	10.7 V
Handelsname:	GaNSPIN
Gewicht pro Stück:	194 mg

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Datenblatt

GANSPIN611TR Datenblatt (PDF)

USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

GANSPIN611 GaN-Halbbrücke mit hoher Leistungsdichte

STMicroelectronics GANSPIN611 GaN-Halbbrücke mit hoher Leistungsdichte ist ein fortschrittliches Power-System-in-Package, das zwei Anreicherungs-GaN-Transistoren in einer Bauform integriert, die von einem hochmodernen Hochspannungs-Hochfrequenz-Gate-Treiber angesteuert werden. Die integrierten Leistungs-GaNs haben einen RDS_(ON)von 138 mΩ und eine Drain-Source-Durchbruchspannung von 650 V, während die integrierte Bootstrap-Diode problemlos die High-Seite des integrierten Gate-Treibers versorgen kann.