L6399D

STMicroelectronics
511-L6399D
L6399D

Herst.:

Beschreibung:
Gate-Treiber High voltage high and low-side driver

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CHF 1.88 CHF 1.88
CHF 1.22 CHF 12.20
CHF 1.08 CHF 27.00
CHF 0.90 CHF 90.00
CHF 0.842 CHF 210.50
CHF 0.737 CHF 368.50
CHF 0.641 CHF 641.00
CHF 0.583 CHF 1 166.00
CHF 0.577 CHF 2 308.00

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:
Verpackung:
Reel, Cut Tape, MouseReel
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STMicroelectronics
Produktkategorie: Gate-Treiber
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
SOIC-8
2 Driver
1 Output
430 mA
10 V
20 V
75 ns
35 ns
- 40 C
+ 125 C
L6399
Tube
Marke: STMicroelectronics
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: SG
Kenndaten und Eigenschaften: High voltage rail up to 600 V
Maximale Abschaltverzögerungszeit: 200 ns
Maximale Anschaltverzögerungszeit: 200 ns
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Betriebsversorgungsstrom: 380 uA
Ausgangsspannung: - 11 V to 580 V
Pd - Verlustleistung: 800 mW
Produkt-Typ: Gate Drivers
Rds On - Drain-Source-Widerstand: 120 Ohms
Abschaltung: No Shutdown
Verpackung ab Werk: 2000
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
Technologie: Si
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8542390000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

MOSFET- und IGBT-Gate-Treiber

STMicroelectronics MOSFET- und IGBT-Gate-Treiber sind ein Portfolio von diskreten Bauteilen für Industrie-, Unterhaltungselektronik- und Computer-Applikationen sowie Fahrzeuganwendungen. Das Portfolio bietet eine Auswahl von Einzel-, Halbbrücken- und Mehrkanal-Treibern. Die Treiber sind für Niedrig- oder Hochspannungsapplikationen (bis zu 1.500 V) eingestuft. ST bietet auch galvanisch-isolierte Gate-Treiber-ICs zur Erfüllung von Sicherheits- und Funktionsanforderungen. System-in-Package-Lösungen (SiP) enthalten High- und Low-Side-Gate-Treiber und MOSFET-basierte Leistungsstufen. Dadurch eignen sie sich ideal für den Industriemarkt mit einem höheren Maß an Integration und niedrigeren Entwicklungskosten.

L638xE und L639x Gate-Treiber

Die L638xE und L639x Gate-Treiber von STMicroelectronics sind Einzelchip-Halbbrücken-Gate-Treiber für n-Kanal-Leistungs-MOSFETs oder IGBTs. Die L638xE und L639x sind Hochspannungsbauteile, die mit der BCD™-„Offline“-Technologie hergestellt werden. Diese Hochspannungs-Gate-Treiber sind so ausgelegt, dass sie eine Spannungsschiene von bis zu 600 V im High-Side-Bereich (schwebend) aushalten. Die L638xE und L639x Gate-Treiber-Logikeingänge sind CMOS- oder TTL-kompatibel, um die Verbindung mit Steuerbauelementen zu erleichtern. Diese L638xE Gate-Treiber sind in DIP-8-, SO-8-, DIP-14- und SO-14-Gehäusen erhältlich. Die L639x Gate-Treiber sind in SO-8-, SO-14- und SO-16-Röhrenverpackungsoptionen erhältlich.
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