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STMicroelectronics

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
Technologie:	Si
Transistorpolung:	NPN, PNP
Konfiguration:	Dual
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC):	3 A
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	40 V
Kollektor-Basisspannung VCBO:	40 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	7 V
Pd - Verlustleistung:	783 mW
Bandbreitengewinnungsprodukt fT:	100 MHz
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Marke:	STMicroelectronics
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	250 at 10 mA, 2 V
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Unterkategorie:	Transistors

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