PD57018S-E

STMicroelectronics
511-PD57018S-E
PD57018S-E

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs RF POWER transistor, N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs

ECAD Model:
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STMicroelectronics
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerSO-10RF-2
N-Channel
1 Channel
65 V
2.5 A
760 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
- 65 C
+ 165 C
31.7 W
Enhancement
Tube
Marke: STMicroelectronics
Konfiguration: Single
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: MY
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 1 S
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Produkt-Typ: MOSFETs
Serie: PD57018-E
Verpackung ab Werk: 400
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Gewicht pro Stück: 2 g
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541210101
KRHTS:
8541219000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99