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RF3L05250CB4

Name: STMicroelectronics RF3L05250CB4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-RF3L05250CB4
Price: 156.06 CHF
Availability: Discontinued

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-RF3L05250CB4

Herst.- Nr.:

RF3L05250CB4

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFET HF-Transistoren 250 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz

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Lebenszyklus:

NRND:

Nicht empfohlen für neue Designs.

Datenblatt:

RF3L05250CB4 Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFET HF-Transistoren
RoHS:
Transistorpolung:	N-Channel
Technologie:	Si
Id - Drain-Gleichstrom:	2.5 A
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	90 V
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1 Ohms
Betriebsfrequenz:	1 MHz
Verstärkung:	18 dB
Ausgangsleistung:	250 W
Maximale Betriebstemperatur:	+ 200 C
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	LBB-5
Verpackung:	Reel
Marke:	STMicroelectronics
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Pd - Verlustleistung:	250 W
Produkt-Typ:	RF MOSFET Transistors
Verpackung ab Werk:	100
Unterkategorie:	MOSFETs
Typ:	RF Power MOSFET
Vgs - Gate-Source-Spannung:	+ 10 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Gewicht pro Stück:	2.400 g

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EOL

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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STMicroelectronics RFxL LDMOS-HF-Leistungstransistoren bieten eine hohe Leistungsfähigkeit für mehrere Applikationen mit verschiedenen Frequenzbändern. Die RFxL HF-Leistungstransistoren sind in B4E-, B2- und LBB-Gehäusen verfügbar.