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SCT018H65G3-7

Name: STMicroelectronics SCT018H65G3-7
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT018H65G3-7
Price: 7.16 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-SCT018H65G3-7

Herst.- Nr.:

SCT018H65G3-7

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

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Datenblatt:

SCT018H65G3-7 Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	H2PAK-7
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	55 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	27 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	-10 V, 22 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.2 V
Qg - Gate-Ladung:	79.4 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	385 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	25 ns
Verpackung:	Reel
Produkt:	SiC MOSFETS
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	28 ns
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	56 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	25 ns

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Datenblatt

SCT018H65G3-7 Datenblatt (PDF)

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs

Die MOSFETs von STMicroelectronics (SiC) verfügen über einen sehr niedrigen RDS(on)-Bereich für eine Nennspannung von 1200 V kombiniert mit einem ausgezeichneten Schaltungsverhalten. Dadurch können effizientere und kompaktere System entwickelt werden. Sie verfügen über ein verbessertes Schaltungsverhalten und einer Betriebsfrequenz mit der niedrigsten Eoff im Vergleich zu Standard-Siliziumtechnologien. Dank der Eigenkörperdiode kann der Formfaktor verringert werden. Durch die maximale Sperrschichttemperatur bei 200 ºC wird ein höherer Systemwirkungsgrad und Zuverlässigkeit erreicht.

650 Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs

STMicroelectronics 650 Siliziumkarbid-(SiC)-MOSFETs verfügen über einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (R_DS(on)) pro Fläche zusammen mit einer hervorragenden Schaltleistung. Dies trägt zu effizienteren und kompakteren Systemen bei.Im Vergleich zu Silizium-MOSFETs zeichnen sich SiC-MOSFETs durch einen niedrigen Einschaltwiderstand pro Fläche selbst bei hohen Temperaturen aus. Darüber hinaus verfügen die SiC-MOSFETs verfügen über eine ausgezeichnete Schaltleistung im Vergleich zu erstklassigen IGBTs in allen Temperaturbereichen. Dies vereinfacht das thermische Design von Leistungselektroniksystemen.