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SCTHC250N120G3AG

Name: STMicroelectronics SCTHC250N120G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCTHC250N120G3AG
Price: 61.1 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-SCTHC250N120G3AG

Herst.- Nr.:

SCTHC250N120G3AG

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package

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Datenblatt:

SCTHC250N120G3AG Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	STPAK-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	239 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	10.5 nC
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.4 V
Qg - Gate-Ladung:	304 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 200 C
Pd - Verlustleistung:	994 W
Qualifikation:	AEC-Q100
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	IT
Verpackung:	Tube
Produkt:	MOSFET
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Verpackung ab Werk:	1
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Transistorart:	1 N-Channel
Typ:	Power MOSFET