STB25N018M9

STMicroelectronics
511-STB25N018M9
STB25N018M9

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs N-channel 250 V, 14 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET in a D2PAK package

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STMicroelectronics
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
D2PAK-3
N-Channel
1 Channel
250 V
56 A
18 mOhms
30 V
4.2 V
85 nC
- 55 C
+ 150 C
320 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: STMicroelectronics
Konfiguration: Single
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: CN
Abfallzeit: 31 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 3.6 ns
Serie: MDmesh M9
Verpackung ab Werk: 1000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 61 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 23 ns
Gewicht pro Stück: 1.444 g
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Ausgewählte Attribute: 0

TARIC:
8541290000

MDmesh™ M9 Leistungs-MOSFETs

Die Leistungs-MOSFETs MDmesh™ M9 von STMicroelectronics zeichnen sich durch eine verbesserte Bauelementstruktur, einen niedrigen ON-Widerstand und niedrige Gate-Ladungswerte aus. Diese Leistungs-MOSFETs bieten eine hohe Rückwärtsdioden-dv/dt- und MOSFET-dv/dt-Robustheit, eine hohe Leistungsdichte und geringe Leitungsverluste. Darüber hinaus bieten die MDmesh M9-Leistungs-MOSFETs eine hohe Schaltgeschwindigkeit, einen hohen Wirkungsgrad und geringe Schaltleistungsverluste. Diese Leistungs-MOSFETs sind mit der innovativen Hochspannungs-Super-Junction-Technologie ausgelegt, die eine beeindruckende Gütezahl (FoM) liefert. Der hohe FoM ermöglicht höhere Leistungsstufen und eine höhere Dichte für kompaktere Lösungen. Zu den typischen Applikationen gehören Server, Telekommunikations-Rechenzentren, 5G-Kraftwerke, Mikrowechselrichter und Schnell Ladegeräte.