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STB37N60DM2AG

Name: STMicroelectronics STB37N60DM2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STB37N60DM2AG
Price: 6.22 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STB37N60DM2AG

Herst.- Nr.:

STB37N60DM2AG

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

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Datenblatt:

STB37N60DM2AG Datenblatt (PDF)

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 6.22	CHF 6.22
	CHF 4.24	CHF 42.40
	CHF 3.24	CHF 324.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	CHF 3.02	CHF 3 020.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	600 V
Id - Drain-Gleichstrom:	28 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	110 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	54 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	210 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Handelsname:	MDmesh
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	CN
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	10.7 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	17 ns
Serie:	STB37N60DM2AG
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	68 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	21.2 ns
Gewicht pro Stück:	4 g

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Datenblatt

STB37N60DM2AG Datenblatt (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Automotive-Grade N-Channel MDmesh DM2 MOSFETs

STMicroelectronics Automotive-Grade N-Channel MDmesh DM2 Power MOSFETs are high-voltage with very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low R_DS(on). They are suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.