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STDRIVEG212QTR

Name: STMicroelectronics STDRIVEG212QTR
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STDRIVEG212QTR
Price: 3.13 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STDRIVEG212QTR

Herst.- Nr.:

STDRIVEG212QTR

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

Gate-Treiber High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches

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Datenblatt:

STDRIVEG212QTR Datenblatt (PDF)

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	CHF 3.13	CHF 3.13
	CHF 2.81	CHF 28.10
	CHF 2.40	CHF 60.00
	CHF 2.17	CHF 217.00
	CHF 1.81	CHF 452.50
	CHF 1.74	CHF 870.00
	CHF 1.46	CHF 1 460.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 1.23	CHF 3 690.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	Gate Driver
Typ:	Half-Bridge
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	QFN-18
Anzahl der Treiber:	2 Driver
Anzahl der Ausgänge:	3 Output
Ausgangsstrom:	1.8 A
Versorgungsspannung - Min.:	10.3 V
Versorgungsspannung - Max.:	18 V
Konfiguration:	Inverting, Non-Inverting
Anstiegszeit:	22 ns
Abfallzeit:	13 ns
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	STMicroelectronics
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	TH
Entwicklungs-Kit:	EVLSTDRIVEG212
Maximale Abschaltverzögerungszeit:	65 ns
Maximale Anschaltverzögerungszeit:	65 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Betriebsversorgungsstrom:	900 uA
Ausgangsspannung:	220 V
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.:	65 ns
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	4.8 Ohms
Abschaltung:	Shutdown
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	GaN
Handelsname:	STDRIVE

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STDRIVEG212QTR Datenblatt (PDF)

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USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

STDRIVEG212 220 V Halbbrücken-Gate-Treiber

Der 220 V High-Speed-Halbbrücken-Gate-Treiber STDRIVEG212 von STMicroelectronics ist für 5-V-gesteuerte, selbstsperrende GaN-HEMTs optimiert. Der High-Side-Treiberabschnitt ist für eine Spannungsschiene von bis zu 220 V ausgelegt und kann problemlos über die integrierte Bootstrapdiode versorgt werden. Dank seiner Hochstromfähigkeit, kurzen Laufzeitverzögerungen mit exzellenter Laufzeitanpassung und integrierten LDOs ist der STDRIVEG212 für die Ansteuerung von High-Speed-GaN optimiert.