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STDRIVEG612QTR

Name: STMicroelectronics STDRIVEG612QTR
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STDRIVEG612QTR
Price: 4.16 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STDRIVEG612QTR

Herst.- Nr.:

STDRIVEG612QTR

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

Gate-Treiber High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches

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Datenblatt:

STDRIVEG612QTR Datenblatt (PDF)

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 4.16	CHF 4.16
	CHF 2.75	CHF 27.50
	CHF 2.51	CHF 62.75
	CHF 2.13	CHF 213.00
	CHF 2.02	CHF 505.00
	CHF 1.82	CHF 910.00
	CHF 1.54	CHF 1 540.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 1.49	CHF 4 470.00
	CHF 1.46	CHF 8 760.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	Gate Driver
Typ:	Half-Bridge
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	QFN-18
Anzahl der Treiber:	2 Driver
Anzahl der Ausgänge:	3 Output
Ausgangsstrom:	1.8 A
Versorgungsspannung - Min.:	10.3 V
Versorgungsspannung - Max.:	18 V
Konfiguration:	Inverting, Non-Inverting
Anstiegszeit:	22 ns
Abfallzeit:	13 ns
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	STMicroelectronics
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	TH
Maximale Abschaltverzögerungszeit:	65 ns
Maximale Anschaltverzögerungszeit:	65 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Ausgangsspannung:	520 V
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.:	65 ns
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	6.8 Ohms
Abschaltung:	Shutdown
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	GaN
Handelsname:	STDRIVE

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STDRIVEG612 600 V Halbbrücken-Gate-Treiber

Der 600 V High-Speed-Halbbrücken-Gate-Treiber STDRIVEG612 von STMicroelectronics ist für 5-V-gesteuerte, selbstsperrende GaN-HEMTs optimiert. Der High-Side-Treiberabschnitt ist für eine Spannungsschiene von bis zu 600 V ausgelegt und kann problemlos über die integrierte Bootstrapdiode versorgt werden. Dank seiner Hochstromfähigkeit, kurzen Laufzeitverzögerungen mit exzellenter Laufzeitanpassung und integrierten LDOs ist der STDRIVEG612 für die Ansteuerung von High-Speed-GaN optimiert.