Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

STF16N65M2

Name: STMicroelectronics STF16N65M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STF16N65M2
Price: 2.11 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STF16N65M2

Herst.- Nr.:

STF16N65M2

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

Vervollständigen Sie Ihr Design

Datenblatt:

STF16N65M2 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu STMicroelectronics STF16N65M2

Auf Lager: 926

Lagerbestand:: 926 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 16 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 2.11	CHF 2.11
	CHF 0.808	CHF 8.08
	CHF 0.762	CHF 76.20
	CHF 0.704	CHF 352.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	11 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	320 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	19.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	25 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	MDmesh
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	11.3 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	8.2 ns
Serie:	STF16N65M2
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	36 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	11.3 ns
Gewicht pro Stück:	2 g

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

STF16N65M2 Datenblatt (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Neueste Technologien in Leistungs-MOSFETs und IGBTs

STMicroelectronics bietet die neuesten Technologien in Leistungs-MOSFETs und IGBTs. ST bietet ein großes Portfolio an MOSFETS und IGBTs an, die auf ihre spezifische Applikation zugeschnitten ist und für SNT-, Beleuchtungs-, Motorsteuerungs- und verschiedene Industrieapplikationen ausgelegt sind. Das Portfolio von ST umfasst Hochspannungs-Super-Junction-MOSFETs und Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs für harte und weiche Schalttopologien und Trench-basierte Niederspannungs-MOSFETs für die Leistungsumwandlung und BLDC-Motorantriebe. Die neuesten 1.200-V-SiC-MOSFETs von ST vereinen die branchenweit höchste Sperrschichttemperatur von 200 °C mit einem sehr niedrigen RDS(on)-Bereich (mit minimaler Veränderung gegenüber Temperatur) und einer ausgezeichneten Schaltleistung für effizientere und kompakte SNT-Designs. Für die Motorsteuerung bieten die IGBTs der M-Baureihe einen optimierten Kompromiss von VCE(SAT) und E(off) zusammen mit einer robusten Kurzschlussbeständigkeit. Entdecken Sie das komplette Angebot von ST an MOSFETs und IGBTs für SNT-Designs.

MDmesh™ II Leistungs-MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ II Leistungs-MOSFETs verbinden eine vertikale Struktur mit STMs Streifenlayout für eines der branchenweit niedrigsten Niveaus an On-Widerstand und Gate-Ladung, wodurch die Komponenten den höchsten Ansprüchen von Wandlern mit hohem Wirkungsgrad gerecht werden. Diese MDmesh™ II Leistungs-MOSFETs sind vollständig isoliert und in einem Niedrigprofilgehäuse mit erhöhtem Kriechstrom vom Pin zur Kühlkörperplatte untergebracht. Sie sind zu 100% Avalanche-getestet und bieten niedrige Eingangskapazität, Gate-Ladung und Gate-Eingangswiderstand.
Weitere Informationen