Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

STF36N60M6

Name: STMicroelectronics STF36N60M6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STF36N60M6
Price: 5.69 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STF36N60M6

Herst.- Nr.:

STF36N60M6

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP package

Vervollständigen Sie Ihr Design

Datenblatt:

STF36N60M6 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu STMicroelectronics STF36N60M6

Auf Lager: 319

Lagerbestand:: 319 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 16 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 5.69	CHF 5.69
	CHF 3.85	CHF 38.50
	CHF 2.81	CHF 281.00
	CHF 2.66	CHF 1 330.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	600 V
Id - Drain-Gleichstrom:	30 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	99 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.25 V
Qg - Gate-Ladung:	44.3 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	40 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	MDmesh
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	7.3 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	5.3 ns
Serie:	Mdmesh M6
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	50.2 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	15.2 ns
Gewicht pro Stück:	2 g

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

STF36N60M6 Datenblatt (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-04-02 (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MDmesh™ M6-MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ M6-MOSFETs kombinieren eine niedrige Gate-Ladung (Q_g) mit einem optimierten Kapazitätsprofil, um einen hohen Wirkungsgrad auf neuen Topologien in Leistungsumwandlungsapplikationen zu ermöglichen. Die Super-Junction MDmesh™ M6-Baureihe bietet ein Betriebsverhalten mit hohem Wirkungsgrad, wodurch eine erhöhte Leistungsdichte und eine niedrige Gate-Ladung für den Betrieb bei hohen Frequenzen erzielt wird. Die MOSFETs der M6-Baureihe verfügen über eine Durchschlagspannung von 600 bis 700 V und sind in einer großen Auswahl von Gehäuseoptionen erhältlich. Dazu gehören eine TO-Leadless-(TO-LL)-Gehäuselösung, die ein effizientes Wärmemanagement ermöglicht. Die Bauteile umfassen eine große Auswahl von Betriebsspannungen für Industrieapplikationen, einschließlich Ladegeräte, Adapter, Silver-Box-Module, LED-Beleuchtung, Telekommunikation, Server und Solarapplikationen.