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STGAP2SICSAC

Name: STMicroelectronics STGAP2SICSAC
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGAP2SICSAC
Price: 3.04 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STGAP2SICSAC

Herst.- Nr.:

STGAP2SICSAC

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

Galvanisch isolierte Gate-Treiber Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs

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Datenblatt:

STGAP2SICSAC Datenblatt (PDF)

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	3.04 CHF	3.04 CHF
	2.05 CHF	20.50 CHF
	1.90 CHF	47.50 CHF
	1.66 CHF	166.00 CHF
	1.55 CHF	387.50 CHF
	1.11 CHF	555.00 CHF
	1.10 CHF	880.00 CHF
	1.07 CHF	2 568.00 CHF
	1.06 CHF	5 936.00 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	Galvanisch isolierte Gate-Treiber
RoHS:
Isolierungsspannung:	5 kV
Qualifikation:	AEC-Q100
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	TW
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verpackung ab Werk:	800
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs

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USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

STGAP2SICS Einzel-Gate-Treiber

STMicroelectronics STGAP2SICS Einzel-Gate-Treiber bieten eine galvanische Trennung zwischen dem Gate-Treiberkanal und der Niederspannungssteuerung sowie der Schnittstellenschaltung. Die Gate-Treiber zeichnen sich durch eine Leistung von 4 A und Rail-to-Rail-Ausgänge aus, wodurch sich die Bauteile auch für Applikationen mit mittlerer und hoher Leistung, wie z. B. Leistungsumwandlung und Motortreiber-Wechselrichter in Industrieapplikationen eignen. Das Bauteil ist in zwei verschiedenen Konfigurationen verfügbar. Die Konfiguration mit separaten Ausgangspins (STGAP2SICSTR) ermöglicht die unabhängige Optimierung von Einschalt- und Ausschaltvorgängen mit dedizierten Gate-Widerständen. Die Konfiguration umfasst einen Einfachausgangs-Pin und eine Miller-Klemmfunktion (STGAP2SICSCTR) verhindert Gate-Spitzen während schneller Kommutierung in Halbbrückentopologien. Beide Konfigurationen bieten eine hohe Flexibilität und eine Reduzierung der BOM für externe Komponenten.