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STGW60H65DFB-4

Name: STMicroelectronics STGW60H65DFB-4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGW60H65DFB-4
Price: 3 CHF
Availability: Discontinued

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STGW60H65DFB-4

Herst.- Nr.:

STGW60H65DFB-4

Herst.:

STMicroelectronics

Lebenszyklus:

NRND:

Nicht empfohlen für neue Designs.

Datenblatt:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	650 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.6 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	80 A
Pd - Verlustleistung:	283 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	STGW60H65DFB-4
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	Not Available
Kriechstrom Gate-Emitter:	250 uA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	600
Unterkategorie:	IGBTs
Gewicht pro Stück:	4.430 g