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STH270N8F7-2

Name: STMicroelectronics STH270N8F7-2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STH270N8F7-2
Price: 4.32 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STH270N8F7-2

Herst.- Nr.:

STH270N8F7-2

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-CH 80V 17mOhm 180A STripFET VII

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Datenblatt:

STH270N8F7-2 Datenblatt (PDF)

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Preis (CHF)

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Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 4.32	CHF 4.32
	CHF 2.88	CHF 28.80
	CHF 2.06	CHF 206.00
	CHF 1.99	CHF 995.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	CHF 1.71	CHF 1 710.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	H2PAK-2
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	80 V
Id - Drain-Gleichstrom:	180 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2.1 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	193 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	315 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	STripFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	IT
Abfallzeit:	42 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	180 ns
Serie:	STH270N8F7-2
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	98 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	56 ns
Gewicht pro Stück:	4 g

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Datenblatt

STH270N8F7-2 Datenblatt (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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