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STH410N4F7-6AG

Name: STMicroelectronics STH410N4F7-6AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STH410N4F7-6AG
Price: 4.47 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STH410N4F7-6AG

Herst.- Nr.:

STH410N4F7-6AG

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs Automotive-grade N-channel Power MOSFET 40 V, 0.8 mOhm typ, 200 A STripFET F7 in

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Lebenszyklus:

End-of-Life-Produkt :

Gilt als veraltet und wurde vom Hersteller abgekündigt

Datenblatt:

STH410N4F7-6AG Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 4.47	CHF 4.47
	CHF 2.98	CHF 29.80
	CHF 2.21	CHF 221.00
	CHF 2.17	CHF 1 085.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	CHF 1.75	CHF 1 750.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	H2PAK-6
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	200 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.1 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	120 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	365 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Handelsname:	STripFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	44.2 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	198 ns
Serie:	STH410N4F7-6AG
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	108 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	35 ns
Gewicht pro Stück:	1.380 g

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Datenblatt

STH410N4F7-6AG Datenblatt (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

STMicroelectronics STripFET VII Power MOSFETs

STripFET VI™ Leistungs-MOSFETs

STMicorelectronics STripFET VI™ Leistungs-MOSFETs sind Anreicherungstyp-MOSFETs, die von der proprietären STripFET™-Technologie mit neuer Gate-Struktur von STMicroelectronics profitieren. Das Resultat ist ein STripFET™-Leistungs-MOSFET, der eine Trench-Technologie für einen hohen Wirkungsgrad und niedrigen R_DS(on) verwendet, die in verschiedenen Automotive- und Industrie-Schaltapplikationen, wie z. B. Motorsteuerung, USV, DC/DC-Wandler, induktionsbetriebene Verdampfer und Solarapplikationen erforderlich sind. Sie bieten eine sehr geringe Schalt-Gate-Ladung, hohe Stoßentladungsfestigkeit, niedrige Gate-Treiber-Leistungsverluste und eine hohe Leistungsdichte.

STripFET III™ Leistungs-MOSFETs

Die STripFET III™ Leistungs-MOSFETs von STMicroelectronics sind Anreicherungstyp-MOSFETs, die von der proprietären STripFET™-Technologie mit neuer Gate-Struktur von STMicroelectronics profitieren. Das Ergebnis ist ein STripFET™ Leistungs-MOSFET mit Hochstromfähigkeit und niedrigem R_DS(on). Diese STripFET™ Leitungs-MOSFETs bieten einen verbesserten Einschaltwiderstand für geringere Leitungsverluste. Die Planartechnologie dieser Module eignet sich ideal für Niederspannungssysteme mit hohem Wirkungsgrad.