STI47N60DM6AG

STMicroelectronics
511-STI47N60DM6AG
STI47N60DM6AG

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

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STMicroelectronics
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
Through Hole
I2PAK-3
N-Channel
1 Channel
600 V
36 A
80 mOhms
- 25 V, 25 V
4.75 V
55 nC
- 55 C
+ 150 C
250 W
Enhancement
AEC-Q101
MDmesh
Tube
Marke: STMicroelectronics
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: CN
Produkt-Typ: MOSFETs
Serie: STI47N60DM6AG
Verpackung ab Werk: 1000
Unterkategorie: Transistors
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

DM6 n-Kanal-Leistungs-MOSFET

Der STMicroelectronics DM6 n-Kanal-Leistungs-MOSFET ist ein Teil der MDmesh™ DM6 schnellen Freilaufdioden. Dieser automotive n-Kanal-Leistungs-MOSFET bietet eine sehr niedrige Wiederherstellungsladung (Qrr) und Erholungszeit (trr) in Kombination mit niedrigem RDS(on). Der DM6 Leistungs-MOSFET verfügt über eine niedrige Gate-Ladung, eine niedrige Eingangskapazität, niedrigen On-Widerstand, hohe dv/dt- Robustheit und Zener-Schutz. Dieser Leistungs-MOSFET eignet sich für die meisten anspruchsvollen, hocheffizienten Wandler und ist ideal für Brückentopologien und phasenverschobene ZVS-Wandler.