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STO60N045DM9

Name: STMicroelectronics STO60N045DM9
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STO60N045DM9
Price: 7.69 CHF
Availability: OutOfStock

Mouser-Nr.:

511-STO60N045DM9

Herst.- Nr.:

STO60N045DM9

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-channel 600 V, 39 mOhm typ., 55 A, MDmesh DM9 Power MOSFET in a TO-LL package

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	STMicroelectronics
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	Not Available
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	MDmesh DM9
Verpackung ab Werk:	1800
Unterkategorie:	Transistors

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TARIC:: 8541290000

MDmesh™ M9 Leistungs-MOSFETs

Die Leistungs-MOSFETs MDmesh™ M9 von STMicroelectronics zeichnen sich durch eine verbesserte Bauelementstruktur, einen niedrigen ON-Widerstand und niedrige Gate-Ladungswerte aus. Diese Leistungs-MOSFETs bieten eine hohe Rückwärtsdioden-dv/dt- und MOSFET-dv/dt-Robustheit, eine hohe Leistungsdichte und geringe Leitungsverluste. Darüber hinaus bieten die MDmesh M9-Leistungs-MOSFETs eine hohe Schaltgeschwindigkeit, einen hohen Wirkungsgrad und geringe Schaltleistungsverluste. Diese Leistungs-MOSFETs sind mit der innovativen Hochspannungs-Super-Junction-Technologie ausgelegt, die eine beeindruckende Gütezahl (FoM) liefert. Der hohe FoM ermöglicht höhere Leistungsstufen und eine höhere Dichte für kompaktere Lösungen. Zu den typischen Applikationen gehören Server, Telekommunikations-Rechenzentren, 5G-Kraftwerke, Mikrowechselrichter und Schnell Ladegeräte.

STP60N043DM9 MDmesh DM9 Leistungs-MOSFET

Der Leistungs-MOSFET STP60N043DM9 MDmesh DM9 von STMicroelectronics wurde für Mittel-/Hochspannungs-MOSFETs entwickelt und zeichnet sich durch einen sehr niedrigen R_DS(on) pro Fläche in Verbindung mit einer Fast-Recovery-Diode aus. Das Gerät nutzt die innovative Super-Junction-MDmesh-DM9-Technologie, die einen Multi-Drain-Fertigungsprozess bietet, der eine verbesserte Gerätestruktur ermöglicht.