STP33N60DM6

Name: STMicroelectronics STP33N60DM6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP33N60DM6
Price: 3.72 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STP33N60DM6

Herst.- Nr.:

STP33N60DM6

Herst.:

STMicroelectronics

Datenblatt:

ECAD Model:

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	600 V
Id - Drain-Gleichstrom:	25 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	128 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.25 V
Qg - Gate-Ladung:	35 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	190 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	MDmesh
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	SG
Abfallzeit:	35 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	9 ns
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	7 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	14 ns
Gewicht pro Stück:	2 g