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STPSC12G065D

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STPSC12G065D

Herst.- Nr.:

STPSC12G065D

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

SiC Schottky Diodes 650 V, 12A High surge Silicon Carbide power Schottky diode

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Datenblatt:

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	SiC Schottky Dioden
Lieferbeschränkung:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Land der Bestückung:	CN
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Produkt-Typ:	SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Diodes & Rectifiers

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Datenblatt

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CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

Standardprodukte

Die Standardprodukte von STMikroelectronics sind eine große Auswahl von Industriestandard- und Drop-In-Ersatzteilen für die gängisten Universal-Analog-ICs, diskreten und seriellen EEPROMs. Die Standardprodukte werden nach den höchsten Qualitätsstandards hergestellt und viele davon sind für Automotive-Applikationen AECQ-qualifiziert. Eine umfassende Palette von Design-Hilfsmitteln, darunter SPICE, IBIS-Modelle und Simulations-Tools, sind verfügbar, um das Hinzufügen zu einem Design-in zu vereinfachen.

STPSC 650-V-Schottky-Dioden auf Siliziumkarbid-Basis

STMicroelectronics STPSC 650-V-Schottky-Dioden auf Siliziumkarbid-Basis sind extrem leistungsstarke Schottky-Dioden. Das Breitbandlückenmaterial ermöglicht die Erstellung einer Schottky-Diodenstruktur mit einer Nennleistung von 650 V. Aufgrund der Schottky-Bauweise tritt beim Ausschalten keine Verzögerung auf und Überschwingmuster sind geringfügig. Das minimale kapazitive Abschaltverhalten ist temperaturunabhängig. Diese Bauteile eignen sich besonders gut für den Einsatz in PFC-Applikationen und erhöhen die Leistung bei harten Schaltbedingungen. Das hohe Ableitvermögen sorgt für eine gute Robustheit bei transienten Phasen.