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STU6N65M2-S

Name: STMicroelectronics STU6N65M2-S
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STU6N65M2-S
Price: 0.42 CHF
Availability: Discontinued

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STU6N65M2-S

Herst.- Nr.:

STU6N65M2-S

Herst.:

STMicroelectronics

Lebenszyklus:

NRND:

Nicht empfohlen für neue Designs.

Datenblatt:

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	IPAK-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	2.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.35 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	9.8 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	60 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	20 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	7 ns
Serie:	STU6N65M2
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	6.5 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	19 ns
Gewicht pro Stück:	2.274 g