STWA40N95DK5

STMicroelectronics
511-STWA40N95DK5
STWA40N95DK5

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs N-channel 950 V, 0.120 Ohm typ., 38 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a TO-247 long l

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STMicroelectronics
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
950 V
38 A
120 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
100 nC
- 55 C
+ 150 C
450 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Marke: STMicroelectronics
Konfiguration: Single
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: SG
Abfallzeit: 11 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 15 ns
Serie: STWA40N95DK5
Verpackung ab Werk: 600
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 82 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 30 ns
Gewicht pro Stück: 6 g
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MDmesh DK5 MOSFETs

Die MDmesh DK5 MOSFETs von STMicroelectronics sind schnelle Freilaufdioden mit sehr hoher Spannung und einer Durchschlagspannung von 950 bis 1050 V. Die DK5 haben eine sehr niedrige Gate-Ladung so niedrig wie 45 nC und eine Sperrverzögerungszeit (trr) von 250 ns (typisch). Somit eignet sich MDmesh DK5 ideal für ZVS-LLC-Resonanzwandler in Hochleistungs-Applikationen. Diese Applikationen umfassen industrielle Schweißgeräte, Plasmageneratoren, hochfrequente Induktionsschmelz-/Erwärmungsgeräte und Röntgengeräte. Die MDmesh DK5 MOSFET-Baureihe ist zudem die ideale Lösung für hartschaltende Topologien dank des niedrigen On-Widerstands (RDS(on)) von 0,12 Ω (VGS = 10 V, ID = 23 A) und einer ausgezeichneten Robustheit. Die DK5 sind in einer Vielzahl von Gehäusen zur Durchsteckmontage als auch SMD-Leistungsgehäusen erhältlich, darunter auch Long-Lead-TO-247- und ISOTOP-Gehäuse.
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