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GP2T080A120J

Name: SemiQ GP2T080A120J
Brand: SemiQ
SKU: 148-GP2T080A120J
Price: 6.1 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

148-GP2T080A120J

Herst.- Nr.:

GP2T080A120J

Herst.:

SemiQ

Beschreibung:

SiC-MOSFETs 1200V, 80mOhm, TO-263-7L MOSFET

Datenblatt:

GP2T080A120J Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	SemiQ
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-263-7
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	35 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	77 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	53 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	188 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	SemiQ
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	10 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	8 S
Verpackung:	Tube
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	3 ns
Serie:	GP2T020A120
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Regelabschaltverzögerungszeit:	17 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	10 ns

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Datenblatt

GP2T080A120J Datenblatt (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

GP2T080A120H 1200V SiC MOSFET

SemiQ GP2T080A120H 1200V SiC MOSFET delivers lower capacitance and higher system efficiency. The GP2T080A120H features high-speed switching, a driver source pin for gate driving, and a reliable body diode. The GP2T080A120H 1200V SiC MOSFET parts are tested to above 1400V and avalanche tested to 200mJ. Furthermore, the GP2T080A120H s easy to parallel and offers a lower Qg. The device is ideal for solar inverters, EV charging stations, induction heating and welding, and motor drivers.