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TSM110NB04DCR RLG

Name: Taiwan Semiconductor TSM110NB04DCR RLG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TSM110NB04DCRRLG
Price: 1.44 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

821-TSM110NB04DCRRLG

Herst.- Nr.:

TSM110NB04DCR RLG

Herst.:

Taiwan Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs 40V, 48A, Dual N-Channel Power MOSFET

Datenblatt:

TSM110NB04DCR RLG Datenblatt

ECAD Model:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Taiwan Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PDFN-56-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	48 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	11 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	25 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	48 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Taiwan Semiconductor
Konfiguration:	Dual
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	TW
Abfallzeit:	5 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	40 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	10 ns
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	15 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	7 ns
Artikel # Aliases:	TSM110NB04DCR
Gewicht pro Stück:	372.608 mg

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Dual N-Channel Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor Dual N-Channel Power MOSFETs feature low drain-source on-state resistance, minimizing conductive losses. The devices enable a low gate charge for fast switching. Taiwan Semiconductor Dual N-Channel Power MOSFETs are ideal for BLDC motor control, battery power management, and DC-DC converter applications.