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CSD16322Q5

Name: Texas Instruments CSD16322Q5
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD16322Q5
Price: 1.42 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD16322Q5

Herst.- Nr.:

CSD16322Q5

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs N-Channel NexFET Pwr MOSFETs

Datenblatt:

CSD16322Q5 Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

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Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 1.42	CHF 1.42
	CHF 0.907	CHF 9.07
	CHF 0.607	CHF 60.70
	CHF 0.479	CHF 239.50
	CHF 0.438	CHF 438.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	CHF 0.407	CHF 1 017.50

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	VSON-CLIP-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	25 V
Id - Drain-Gleichstrom:	100 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	5.8 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, 10 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.1 V
Qg - Gate-Ladung:	6.8 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	3.1 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	PH
Land der Verbreitung:	TW
Ursprungsland:	TW
Abfallzeit:	3.7 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	106 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	10.7 ns
Serie:	CSD16322Q5
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	12.3 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	6.1 ns
Gewicht pro Stück:	110.300 mg

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JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
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NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

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Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

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TI N-Channel 8-23-12

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The Texas Instruments N-Channel NexFET™ Power MOSFET series features low on resistance coupled with extremely low gate charge, making it ideal for high efficiency/high frequency switching converter and Synchronous FET applications. The TI NexFET Power MOSFET combines vertical current flow with a lateral power MOSFET for a level of performance not previously possible with existing silicon platforms. The TI NexFET minimizes losses in power conversion applications and allows designers to achieve 90-percent power supply efficiencies from light to full loads with high output currents and low duty cycles.