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CSD17306Q5A

Name: Texas Instruments CSD17306Q5A
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD17306Q5A
Price: 1.53 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD17306Q5A

Herst.- Nr.:

CSD17306Q5A

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 30V N Channel NexFET Power MOSFET

Datenblatt:

CSD17306Q5A Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 1.53	CHF 1.53
	CHF 0.97	CHF 9.70
	CHF 0.653	CHF 65.30
	CHF 0.517	CHF 258.50
	CHF 0.478	CHF 478.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	CHF 0.443	CHF 1 107.50

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	VSONP-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	100 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	4.2 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, 10 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.1 V
Qg - Gate-Ladung:	11.8 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	3.2 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	CN
Land der Verbreitung:	TW
Ursprungsland:	CN
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	105 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	CSD17306Q5A
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	18.4 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	7.8 ns
Gewicht pro Stück:	86 mg

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CAHTS:: 8541290000
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ECCN:: EAR99

NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die Texas Instruments NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs sind zur Reduzierung von Verlusten in Leistungsumwandlungsapplikationen ausgelegt. Diese n-Kanal-Bauteile verfügen über einen extrem niedrigen Qg und Qd sowie einen niedrigen thermischen Widerstand. Diese Bauteile sind Avalanche-fähig und in einem SON-Kunststoffgehäuse von 5 mm x 6 mm verfügbar.

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