CSD17382F4

Texas Instruments
595-CSD17382F4
CSD17382F4

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD17382F4T

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Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
CHF 0.34 CHF 0.34
CHF 0.207 CHF 2.07
CHF 0.131 CHF 13.10
CHF 0.098 CHF 49.00
CHF 0.086 CHF 86.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
CHF 0.086 CHF 258.00
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Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:
Verpackung:
Reel, Cut Tape, MouseReel
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Preis:
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Texas Instruments
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PICOSTAR-3
N-Channel
1 Channel
30 V
2.3 A
67 mOhms
- 10 V, 10 V
700 mV
2.1 nC
- 55 C
+ 150 C
500 mW
Enhancement
PicoStar
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Texas Instruments
Konfiguration: Single
Land der Bestückung: PH
Land der Verbreitung: CN
Ursprungsland: PH
Abfallzeit: 270 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 5.9 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 111 ns
Serie: CSD17382F4
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 279 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 59 ns
Gewicht pro Stück: 0.700 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
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TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

FemtoFET Leistungs-MOSFETs

Die Texas Instruments FemtoFET Leistungs-MOSFETs bieten einen extrem kleinen Footprint (0402 Gehäusegröße) mit ultra-niedrigem Widerstand (70% weniger als die Konkurrenz). Diese MOSFETs verfügen über extrem niedrige Qg- und Qgd-Spezifikationen und bieten eine optimierte ESD-Bewertung. Sie sind in einem LGA-Gehäuse (Land-Grid-Array) erhältlich. Dieses Gehäuse maximiert den Siliziumgehalt und macht sie ideal für platzbeschränkte Anwendungen. Diese Leistungs-MOSFETs bieten eine geringe Verlustleistung sowie geringe Schaltverluste für eine verbesserte Lichtladeleistung. Zu den typischen Anwendungen für diese Geräte zählen Handgeräte-, Lastschalter-, Allzweckschalter- und Batterie- sowie mobile Anwendungen.
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