CSD17585F5T

Texas Instruments
595-CSD17585F5T
CSD17585F5T

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17585F5

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Gurtabschnitt / MouseReel™
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CHF 0.448 CHF 44.80
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CHF 0.448 CHF 112.00
CHF 0.383 CHF 191.50
CHF 0.345 CHF 345.00
CHF 0.332 CHF 830.00
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Verpackung:
Reel, Cut Tape, MouseReel
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MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17585F5T

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Texas Instruments
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PICOSTAR-3
N-Channel
1 Channel
30 V
5.9 A
27 mOhms
- 20 V, 20 V
900 mV
5.1 nC
- 55 C
+ 150 C
1.4 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Texas Instruments
Konfiguration: Single
Land der Bestückung: PH
Land der Verbreitung: CN
Ursprungsland: PH
Abfallzeit: 11 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 7 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 4 ns
Serie: CSD17585F5
Verpackung ab Werk: 250
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 31 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 4 ns
Gewicht pro Stück: 0.700 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

FemtoFET Leistungs-MOSFETs

Die Texas Instruments FemtoFET Leistungs-MOSFETs bieten einen extrem kleinen Footprint (0402 Gehäusegröße) mit ultra-niedrigem Widerstand (70% weniger als die Konkurrenz). Diese MOSFETs verfügen über extrem niedrige Qg- und Qgd-Spezifikationen und bieten eine optimierte ESD-Bewertung. Sie sind in einem LGA-Gehäuse (Land-Grid-Array) erhältlich. Dieses Gehäuse maximiert den Siliziumgehalt und macht sie ideal für platzbeschränkte Anwendungen. Diese Leistungs-MOSFETs bieten eine geringe Verlustleistung sowie geringe Schaltverluste für eine verbesserte Lichtladeleistung. Zu den typischen Anwendungen für diese Geräte zählen Handgeräte-, Lastschalter-, Allzweckschalter- und Batterie- sowie mobile Anwendungen.
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