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CSD18531Q5A

Name: Texas Instruments CSD18531Q5A
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD18531Q5A
Price: 1.7 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD18531Q5A

Herst.- Nr.:

CSD18531Q5A

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 60V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18531Q5AT

Datenblatt:

CSD18531Q5A Datenblatt

ECAD Model:

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1.70 CHF	1.70 CHF
	1.08 CHF	10.80 CHF
	0.732 CHF	73.20 CHF
	0.581 CHF	290.50 CHF
	0.542 CHF	542.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	0.515 CHF	1 287.50 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD18531Q5AT

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

2.27 CHF

Min:

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

CSD18531Q5AT

Beschreibung:

MOSFETs 60V N-channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18531Q5A

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	VSONP-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	100 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	4.6 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.5 V
Qg - Gate-Ladung:	36 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	156 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	CN
Land der Verbreitung:	CN
Ursprungsland:	CN
Entwicklungs-Kit:	DRV8711EVM
Abfallzeit:	2.7 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	7.8 ns
Serie:	CSD18531Q5A
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	20 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	4.4 ns
Gewicht pro Stück:	87,800 mg

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ECCN:: EAR99

NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die Texas Instruments NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs sind zur Reduzierung von Verlusten in Leistungsumwandlungsapplikationen ausgelegt. Diese n-Kanal-Bauteile verfügen über einen extrem niedrigen Qg und Qd sowie einen niedrigen thermischen Widerstand. Diese Bauteile sind Avalanche-fähig und in einem SON-Kunststoffgehäuse von 5 mm x 6 mm verfügbar.

TI N-Channel 8-23-12

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