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CSD19538Q2

Name: Texas Instruments CSD19538Q2
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD19538Q2
Price: 0.61 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD19538Q2

Herst.- Nr.:

CSD19538Q2

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19538Q2T

Datenblatt:

CSD19538Q2 Datenblatt

ECAD Model:

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 0.616	CHF 0.62
	CHF 0.383	CHF 3.83
	CHF 0.248	CHF 24.80
	CHF 0.188	CHF 94.00
	CHF 0.17	CHF 170.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.145	CHF 435.00
	CHF 0.133	CHF 798.00
	CHF 0.128	CHF 1 152.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD19538Q2T

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

CHF 1.50

Min:

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

CSD19538Q2T

Beschreibung:

MOSFETs 100V 49mOhm NexFET P ower MOSFET A 595-C A 595-CSD19538Q2

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	WSON-FET-6
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	14.4 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	59 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.8 V
Qg - Gate-Ladung:	5.6 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	20.2 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	CN
Land der Verbreitung:	CN
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	2 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	19 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	3 ns
Serie:	CSD19538Q2
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	7 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	5 ns
Gewicht pro Stück:	6 mg

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
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TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TI N-Channel 8-23-12

Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
Weitere Informationen

NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die Texas Instruments NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs sind zur Reduzierung von Verlusten in Leistungsumwandlungsapplikationen ausgelegt. Diese n-Kanal-Bauteile verfügen über einen extrem niedrigen Qg und Qd sowie einen niedrigen thermischen Widerstand. Diese Bauteile sind Avalanche-fähig und in einem SON-Kunststoffgehäuse von 5 mm x 6 mm verfügbar.