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CSD25485F5T

Name: Texas Instruments CSD25485F5T
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD25485F5T
Price: 1.25 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD25485F5T

Herst.- Nr.:

CSD25485F5T

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs -20-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD25485F5

Datenblatt:

CSD25485F5T Datenblatt

ECAD Model:

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1.25 CHF	1.25 CHF
	0.791 CHF	7.91 CHF
	0.458 CHF	45.80 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)
	0.458 CHF	114.50 CHF
	0.391 CHF	195.50 CHF
	0.352 CHF	352.00 CHF
	0.34 CHF	850.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PICOSTAR-3
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	20 V
Id - Drain-Gleichstrom:	3.2 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	250 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.3 V
Qg - Gate-Ladung:	3.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1.4 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	PicoStar
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	PH
Land der Verbreitung:	CN
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	14 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	7 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	6 ns
Serie:	CSD25485F5
Verpackung ab Werk:	250
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	27 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	14 ns
Gewicht pro Stück:	0,700 mg

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PCN

Product Change Notification (PDF)

SPICE Models

Technical Resources

CSD25485F5 TINA-TI Reference Design

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854239099
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

FemtoFET Leistungs-MOSFETs

Die Texas Instruments FemtoFET Leistungs-MOSFETs bieten einen extrem kleinen Footprint (0402 Gehäusegröße) mit ultra-niedrigem Widerstand (70% weniger als die Konkurrenz). Diese MOSFETs verfügen über extrem niedrige Qg- und Qgd-Spezifikationen und bieten eine optimierte ESD-Bewertung. Sie sind in einem LGA-Gehäuse (Land-Grid-Array) erhältlich. Dieses Gehäuse maximiert den Siliziumgehalt und macht sie ideal für platzbeschränkte Anwendungen. Diese Leistungs-MOSFETs bieten eine geringe Verlustleistung sowie geringe Schaltverluste für eine verbesserte Lichtladeleistung. Zu den typischen Anwendungen für diese Geräte zählen Handgeräte-, Lastschalter-, Allzweckschalter- und Batterie- sowie mobile Anwendungen.
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