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CSD86311W1723

Name: Texas Instruments CSD86311W1723
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD86311W1723
Price: 1.22 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD86311W1723

Herst.- Nr.:

CSD86311W1723

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs Dual N-Channel Nex F ET Pwr MOSFET

Datenblatt:

CSD86311W1723 Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1.22 CHF	1.22 CHF
	0.766 CHF	7.66 CHF
	0.51 CHF	51.00 CHF
	0.399 CHF	199.50 CHF
	0.364 CHF	364.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0.326 CHF	978.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DSBGA-12
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	25 V
Id - Drain-Gleichstrom:	5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	42 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, 10 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1 V
Qg - Gate-Ladung:	3.1 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1.5 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Dual
Land der Bestückung:	MY
Land der Verbreitung:	TW
Ursprungsland:	MY
Abfallzeit:	2.9 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	6.4 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	4.3 ns
Serie:	CSD86311W1723
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	13.2 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	5.4 ns
Gewicht pro Stück:	4,100 mg

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8542390990
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die Texas Instruments NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs sind zur Reduzierung von Verlusten in Leistungsumwandlungsapplikationen ausgelegt. Diese n-Kanal-Bauteile verfügen über einen extrem niedrigen Qg und Qd sowie einen niedrigen thermischen Widerstand. Diese Bauteile sind Avalanche-fähig und in einem SON-Kunststoffgehäuse von 5 mm x 6 mm verfügbar.

TI N-Channel 8-23-12

Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
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