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CSD87313DMS

Name: Texas Instruments CSD87313DMS
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD87313DMS
Price: 1.73 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD87313DMS

Herst.- Nr.:

CSD87313DMS

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87313DMST

Datenblatt:

CSD87313DMS Datenblatt

ECAD Model:

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Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 1.73	CHF 1.73
	CHF 1.11	CHF 11.10
	CHF 0.751	CHF 75.10
	CHF 0.598	CHF 299.00
	CHF 0.56	CHF 560.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	CHF 0.533	CHF 1 332.50

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD87313DMST

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

CHF 2.49

Min:

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

CSD87313DMST

Beschreibung:

MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87313DMS

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	WSON-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	17 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	5.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, 10 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	600 mV
Qg - Gate-Ladung:	28 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	2.7 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Dual
Land der Bestückung:	PH
Land der Verbreitung:	CN
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	13 ns, 13 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	149 S, 149 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	27 ns, 27 ns
Serie:	CSD87313DMS
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	41 ns, 41 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	9 ns, 9 ns
Gewicht pro Stück:	5.500 mg

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ECCN:: EAR99

NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

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TI N-Channel 8-23-12

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