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CSD87333Q3DT

Name: Texas Instruments CSD87333Q3DT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD87333Q3DT
Price: 1.09 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD87333Q3DT

Herst.- Nr.:

CSD87333Q3DT

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs High Duty Cycle Sync Buck NexFET A 595-C A 595-CSD87333Q3D

Datenblatt:

CSD87333Q3DT Datenblatt

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1.09 CHF	1.09 CHF
	0.721 CHF	7.21 CHF
	0.60 CHF	60.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)
	0.60 CHF	150.00 CHF
	0.564 CHF	282.00 CHF
	0.547 CHF	547.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD87333Q3D

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

0.89 CHF

Min:

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

CSD87333Q3D

Beschreibung:

MOSFETs High Duty Cycle Sync Buck NexFET A 595-C A 595-CSD87333Q3DT

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	VSON-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	15 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	13.4 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	950 mV
Qg - Gate-Ladung:	3.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	6 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Dual
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	2.2 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	43 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	3.9 ns
Serie:	CSD87333Q3D
Verpackung ab Werk:	250
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	9.4 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	2.1 ns
Gewicht pro Stück:	76 mg

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Power Block TI NexFET

NexFET Power Block ICs

Texas Instruments NexFET Power Block ICs are optimized driver ICs with Dual NexFET MOSFETs used in the devices. This delivers higher efficiency in a typical high current POL design. These devices use half the PCB area versus other discrete 3x3 QFN package MOSFETs, which improves power density. With ultra-low Qg & Qgd, these devices enable a higher switching frequency with up to double frequency for the same power loss versus competitor's devices. This feature provides improved transient response for fewer output capacitors that will be needed. There is a size reduction, by up to 1/2, for the output filter (caps & inductor). Texas Instruments NexFET Power Block ICs come with a unique ground pad lead frame and pinout, which simplifies the customer's layout and improves operating and thermal performance.