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CSD87353Q5D

Name: Texas Instruments CSD87353Q5D
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD87353Q5D
Price: 2.03 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD87353Q5D

Herst.- Nr.:

CSD87353Q5D

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 30V Sync Buck NexFET Power Block

Datenblatt:

CSD87353Q5D Datenblatt

ECAD Model:

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Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 2.03	CHF 2.03
	CHF 1.38	CHF 13.80
	CHF 1.18	CHF 118.00
	CHF 1.13	CHF 565.00
	CHF 1.04	CHF 1 040.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	CHF 0.999	CHF 2 497.50

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	LSON-CLIP-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	40 A
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, 10 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.1 V, 750 mV
Qg - Gate-Ladung:	16 nC, 20 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	12 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Dual
Land der Bestückung:	PH
Land der Verbreitung:	CN
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	4 ns, 4.6 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	135 S, 160 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	16 ns, 10 ns
Serie:	CSD87353Q5D
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	20 ns, 23 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	10 ns, 8.5 ns
Gewicht pro Stück:	316.400 mg

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PCN

Product Catalogs

Power Management Guide 2018 (Rev. R)

SPICE Models

CSD87353Q5D PSpice Model (Rev. A)

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

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NexFET Power Block ICs

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Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
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