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CSD87355Q5DT

Name: Texas Instruments CSD87355Q5DT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD87355Q5DT
Price: 3.36 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD87355Q5DT

Herst.- Nr.:

CSD87355Q5DT

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 30-V N channel sync hronous buck NexFET A 595-CSD87355Q5D

Datenblatt:

CSD87355Q5DT Datenblatt

ECAD Model:

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Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 3.36	CHF 3.36
	CHF 2.21	CHF 22.10
	CHF 1.39	CHF 139.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)
	CHF 1.39	CHF 347.50
	CHF 1.32	CHF 660.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD87355Q5D

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

CHF 1.89

Min:

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

CSD87355Q5D

Beschreibung:

MOSFETs 45A Sync Buck NexFET Power Block A 595-C A 595-CSD87355Q5DT

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	LSON-CLIP-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	45 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	3.9 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, 10 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.9 V
Qg - Gate-Ladung:	13.7 nC, 31.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	12 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Dual
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	3 ns, 6 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	90 S , 151 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	18 ns, 14 ns
Serie:	CSD87355Q5D
Verpackung ab Werk:	250
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	13 ns, 27 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	8 ns, 10 ns
Gewicht pro Stück:	161.600 mg

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Datenblatt

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SPICE Models

CSD87355Q5D PSpice Model (Rev. A)

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

NexFET Power Block ICs

Texas Instruments NexFET Power Block ICs are optimized driver ICs with Dual NexFET MOSFETs used in the devices. This delivers higher efficiency in a typical high current POL design. These devices use half the PCB area versus other discrete 3x3 QFN package MOSFETs, which improves power density. With ultra-low Qg & Qgd, these devices enable a higher switching frequency with up to double frequency for the same power loss versus competitor's devices. This feature provides improved transient response for fewer output capacitors that will be needed. There is a size reduction, by up to 1/2, for the output filter (caps & inductor). Texas Instruments NexFET Power Block ICs come with a unique ground pad lead frame and pinout, which simplifies the customer's layout and improves operating and thermal performance.

Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
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