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CSD87503Q3ET

Name: Texas Instruments CSD87503Q3ET
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD87503Q3ET
Price: 1.33 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD87503Q3ET

Herst.- Nr.:

CSD87503Q3ET

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 30-V Dual N-Channel MOSFET A 595-CSD8750 A 595-CSD87503Q3E

Datenblatt:

CSD87503Q3ET Datenblatt

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Preis (CHF)

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Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 1.33	CHF 1.33
	CHF 0.891	CHF 8.91
	CHF 0.739	CHF 73.90
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)
	CHF 0.739	CHF 184.75
	CHF 0.697	CHF 348.50
	CHF 0.68	CHF 680.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD87503Q3E

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

CHF 1.00

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

CSD87503Q3E

Beschreibung:

MOSFETs 30-V Dual N-Channel MOSFET A 595-CSD8750 A 595-CSD87503Q3ET

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	VSON-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	10 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	17.3 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.3 V
Qg - Gate-Ladung:	42.8 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	15.6 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Dual
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	8 ns, 8 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	24 S, 24 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	40 ns, 40 ns
Serie:	CSD87503Q3E
Verpackung ab Werk:	250
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	25 ns, 25 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	10 ns, 10 ns
Gewicht pro Stück:	29.200 mg

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CSD87503Q3ET Datenblatt

Models

CSD87503Q3ET Symbol & Footprint by SnapMagic

PCN

SPICE Models

CSD85703Q3E Unencrypted PSpice Model

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CAHTS:: 8541290000
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JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die Texas Instruments NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs sind zur Reduzierung von Verlusten in Leistungsumwandlungsapplikationen ausgelegt. Diese n-Kanal-Bauteile verfügen über einen extrem niedrigen Qg und Qd sowie einen niedrigen thermischen Widerstand. Diese Bauteile sind Avalanche-fähig und in einem SON-Kunststoffgehäuse von 5 mm x 6 mm verfügbar.

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